據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)，于2025年09月18日報道，9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，山東大學新一代半導(dǎo)體材料研究院教授張雷將出席會議，并帶來《大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進展》的主題報告，敬請關(guān)注！
嘉賓簡介
張雷，山東大學晶體材料全國重點實驗室、新一代半導(dǎo)體材料研究院教授、博士生導(dǎo)師，《人工晶體學報》青年編委；山東省泰山學者青年專家，山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司董事長。主要從事寬禁帶氮化物半導(dǎo)體（GaN、AlN）晶體生長及性能研究工作，氮化物半導(dǎo)體晶體研究方向負責人，先后主持了中央高校科技領(lǐng)軍人才團隊項目、國家自然科學基金等國家及省部級項目20余項，在Adv Mater等期刊發(fā)表SCI論文80余篇，獲授權(quán)發(fā)明專利30余項，其中4項實現(xiàn)了成果轉(zhuǎn)化。
報告前瞻
報告題目：大尺寸氮化鎵和氮化鋁晶體生長研究新進展
報告摘要：氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，已在光電、射頻和功率器件等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了大規(guī)模應(yīng)用。其中，高質(zhì)量GaN單晶襯底對提升器件性能具有尤為重要的作用。山東大學在大尺寸、高質(zhì)量GaN單晶生長技術(shù)方面提出了創(chuàng)新性解決方案，并取得了顯著進展。同時，課題組在另一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料——AlN單晶襯底的制備方面，近期于晶體尺寸與質(zhì)量上也實現(xiàn)了重要突破。報告將重點介紹以下三方面內(nèi)容：采用氫化物氣相外延（HVPE）方法生長GaN晶體的最新進展、物理氣相傳輸（PVT）方法生長AlN晶體的新突破，以及山東大學在大尺寸AlN單晶生長方面的最新研究成果。期望通過這些分享，能夠引起更多科研工作者對GaN和AlN單晶材料的關(guān)注，共同推動寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新發(fā)展。
