據半導體產業網，于2025年09月09日報道，9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將在云南昆明舉辦。屆時，云南大學材料與能源學院（研究員，云南省重點實驗室副主任）、云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經理王茺受邀將出席會議，并帶來《GaSb基異質薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究》的主題報告，分享最新相關趨勢，敬請關注！
嘉賓簡介
王茺，云南大學博士生導師，研究員（三級崗），云南中科鑫圓晶體材料有限公司科技副總經理，長期從事半導體材料與器件的教學、研究和產業化推廣工作，曾先后開展InAs/GaAs量子阱&量子點、Ge/Si量子點、鍺基合金、Ge單晶、InAs單晶、GaAs單晶和GaSb單晶等多種新型半導體材料技術研發。主持國家自然科學基金、云南省應用基礎研究重點、教育部科學研究重點以及云南省重大科技計劃專項子課題等重大科研任務16項。以第一和通訊作者發表高水平SCI論文90余篇，代表性論文刊登在Adv. Mater., J. Energy Chem., ACS Photonics, Small和Nano Lett.等國際頂級期刊上。共獲得中國發明專利授權17項。先后 4 次獲得云南省科學技術獎勵特等獎、一等獎和二等獎。入選云南省引進高層次人才、云南省中青年學術技術帶頭人、云南省萬人計劃和云南省產業創新人才，擔任《紅外技術》期刊青年編委、中國微米納米技術學會以及中國材料研究學會的青年工作委員會理事。
單位簡介
云南大學光電子與能源材料團隊一直圍繞非制冷探測材料與器件、Si基光電器件、鈣鈦礦太陽電池與探測器、III-V族晶片及紅外探測材料開展研究，形成了一支富有創新力的研究團隊，承擔了多項國家自然科學基金項目和云南省重大科技專項項目，在光電材料和器件的研究方面分別獲得了云南省科學技術獎自然科學類一和二等獎。
云南中科鑫圓晶體材料有限公司是一家專業從事低位錯、高性能空間太陽能電池用鍺單晶材料的國家高新技術企業，是國內最大的鍺單晶襯底片生產企業。公司先后承擔了國家、省部級重大專項15余項。公司獲得國家級專精特新“小巨人”、國家級“綠色工廠”榮譽；獲得授權專利44件，主持/參與制定13項國家標準。通過科技成果轉化，空間衛星太陽能電池用鍺單晶襯底片產品實現了國產化替代、填補了國內空白。
報告前瞻
報告題目：GaSb基異質薄膜的磁控濺射生長機理及其光電探測性能研究
報告摘要：GaSb與InAs因其高的光吸收系數和載流子遷移率以及易形成II型能帶結構等特性，在光電探測器應用領域引起極大關注。然而，MBE和CVD法因制備的高成本限制了器件的應用。磁控濺射法作為物相沉積法具有高濺射速率、規模化、低成本的優點，對于GaSb基光電子器件應用具有廣闊的潛力。由于GaSb與InAs薄膜的晶格常數相匹配，采用GaSb襯底進行InAs薄膜的外延可以極大幅度降低薄膜內的缺陷與位錯數量。綜上，本團隊利用GaSb襯底晶格常數與InAs材料晶格常數相近的特點，通過磁控濺射法，制備了GaSb薄膜材料作為緩沖層，開展了非晶GaSb薄膜退火晶化研究，通過分析生長參數對于GaSb薄膜結晶與退火晶化的影響，制備了高質量、均勻平整的GaSb薄膜。首次通過磁控濺射法在GaSb襯底表面外延出（111）取向的多晶InAs薄膜，通過探究InAs薄膜退火氧化效應的影響，采用磁控儀在襯底解析溫度以制備出大晶粒尺寸、低晶界密度的InAs薄膜。磁控共濺射法制備GaInAsSb薄膜，并研究了不同生長溫度的影響。為磁控濺射法生長Ⅲ-Ⅴ族半導體薄膜開辟了新的研究途徑。
