據半導體產業網,于2025年09月10日報道,9月26-28日,“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時,云南鑫耀半導體材料有限公司技術副總經理韋華將受邀出席論壇,并帶來《VGF法磷化銦熱場優化控制對單晶缺陷形成的影響》的主題報告,敬請關注!
嘉賓簡介
韋華,在讀博士、高級工程師。云南鑫耀半導體材料有限公司技術副總經理,2021年獲昆明市“春城計劃”高層次青年引進人才。研究領域主要為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶生長、晶片加工、檢測測試,主要包括單晶生長熱場模擬、缺陷抑制、亞表面損傷層研究等。主持或參與省市級項目5項,發表論文10余篇,申請專利25項,主持參與制修訂團體標準3項。解決了國產高純銦、國產高純磷自主合成磷化銦多晶關鍵技術,φ4.5-6英寸磷化銦單晶生長關鍵技術,VGF+VB聯動法動磷化銦新長晶技術,磷化銦單晶智能自適應控溫技術,磷化銦自動清洗新技術,推動高品質磷化銦國產化替代,實現加快光電半導體戰略材料自主可控進程。
單位簡介
云南鑫耀半導體材料有限公司,是一家專業從事砷化鎵、磷化銦等光電半導體材料研發、生產及銷售的國家級高新技術企業,是我國著名的III-V族化合物半導體材料生產商和供應商,是國內唯一一家華為戰略投資入股的砷化鎵、磷化銦生產企業,擁有III-V族高端光電半導體材料研發平臺和產業化生產線,掌握砷化鎵、磷化銦從單晶生長、晶片加工、測試檢驗完整的關鍵技術和核心工藝。公司擁有專利69項;先后承擔國家級、省部級項目10余項;主持或參與制修訂標準5項,軟著3項。2021年獲國家級“專精特新”重點小巨人、“國家級綠色工廠”、云南省制造業單項冠軍企業等榮譽,2024年度獲智能制造100強企業。
報告前瞻
報告題目:VGF法磷化銦熱場優化控制對單晶缺陷形成的影響
報告摘要:針對高端光電子和微電子器件用高品質InP晶片存在的位錯、孿晶等缺陷問題,借助CGSIM數值正交模擬,研究獲得VGF熱場軸向/徑向溫度分布、熱流/溶體流動、固液界面形狀與位錯及應力分布的影響規律。軸向溫度梯度、生長速率為顯著影響因素,籽晶熔接及轉肩階段存在較大的位錯及應力分布,增大籽晶及PBN坩堝錐部導熱可顯著優化固液界面。摻S型晶體位錯由熱應力驅動,摻Fe型晶體的高位錯由Fe析出物誘發;通過VGF+VB聯動技術可實現熱應力驅動下的位錯抑制。固液界面小平面局部過冷是孿晶形核的主要驅動力,通過坩堝錐角優化、自適應精確控溫算法可工程實現降低應力波動,進而抑制孿晶,實現低成本、低缺陷、高均勻性VGF-InP單晶生長技術。